原子層沉積設(shè)備是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。
原子層沉積設(shè)備的特點
1、傳輸管路的優(yōu)化設(shè)計，有效地避免管路堵塞及交叉污染問題
2、工業(yè)化級別標準集成：PLC+工控機+觸摸屏
3、軟件操作界面友好，可真正實現(xiàn)“一鍵沉積”
4、完善全面的安全互鎖方案
5、實時監(jiān)測鍍膜工藝
技術(shù)指標
1、本底真空：＜5.0×10-3torr，高性能機械泵（可定制其它款型）
2、樣品腔室：φ100mm+真空過渡腔（可定制其它款型）
3、前驅(qū)體源：3路
4、氧化/還原反應(yīng)物：3路
5、沉積溫度：室溫-500℃（可定制其他溫度）
6、前驅(qū)體管道溫度：室溫-120℃（可定制其他溫度）
7、源瓶加熱溫度：室溫-120℃（可定制其他溫度）
原子層沉積設(shè)備是一款全自動獨立的PC計算機控制的ALD原子層沉積系統(tǒng)，帶Labview軟件，具備四級密碼控制的用戶授權(quán)保護功能。系統(tǒng)為全自動的安全互鎖設(shè)計，并提供了強大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜（如：AL2O3,AlN,TiN,ZrO2,LaO2,HfO2,等等）。應(yīng)用領(lǐng)域包含半導(dǎo)體、光伏、MEMS等。
產(chǎn)品分類
更新時間：2022-12-28 
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